2017年8月22日 星期二

台積電計劃導入極紫外光(EUV)微影設備,作為5奈米以下核心曝光顯影設備

台積電計劃導入極紫外光(EUV)微影設備,作為5奈米以下核心曝光顯影設備,掀起設備和材料新革命和群聚效應,業者紛紛加入「台積大聯盟」。美商科磊(KLA-Tencor)昨(22)日宣布推出全新搭配EUV的檢測設備,德商默克(Merck)也在南科成立亞洲區IC材料應用研發中心,下月正式啟用,都是為了爭取台積電訂單。
半導體製程愈來愈先進,必須在愈來愈微小的晶片上建構更複雜的積體電路。原有193奈米波長的浸潤機已無法解決更精密曝光顯像需求,必須尋求波長只有13.5奈米極紫外光(EUV),協助晶圓代工廠生產更小、更快速、更強大的晶片。
半導體設備業者表示,由於極紫外光可大幅降低晶圓製造的光罩數,縮短晶片製程流程,是晶圓製造邁入更先進的利器。不過,礙於由荷商艾斯摩爾(ASML)獨家開發的極紫外光設備昂貴,一台要價逾30億元,加上輸出率還未達經濟規模,讓業者不敢貿然採用。
不過,在三星決定7奈米率先導入EUV後,讓EUV輸出率獲得快速提升,台積電決定在7奈米強化版提供客戶設計定案,5奈米才決定全數導入。
台積電產能規模龐大,激勵相關設備供應鏈和材料廠全數動起來。隸屬台積電大聯盟成員之一的科磊宣布,推出全新的空白光罩檢測設備FlashScan。這也是科磊正式進入專用空白光罩的檢測市場。

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