2017年2月15日 星期三

大陸媒體報導,紫光南京廠的技術很有可能部分來自於台灣。

近年來在半導體產業動作頻頻的大陸紫光集團宣布,總投資300億美元(約新台幣9,200億元)的南京半導體產業基地已於本月12日開工。據了解,紫光集團已網羅前晨星創辦人楊偉毅出任紫光旗下長江存儲公司研發長,帶領紫光突破各國技術防衛戰。
大陸媒體報導,紫光南京廠的技術很有可能部分來自於台灣。據消息來源透露,這個重要人物正是楊偉毅,將讓紫光朝自主研發3D NAND Flash等先進記憶體發展。但未獲本人證實。
根據紫光集團官網上消息,紫光集團上個月18日與南京簽約,將投資300億美元成立南京半導體產業基地,並總投資人民幣300億元興建「紫光IC國際城」,這兩大投資項目已於本月12日動工興建。這也是紫光集團繼2016年12月30日的武漢長江存儲項目開工後,時隔42天又一起新台幣千億元級的半導體大型投資案。
紫光集團稱,南京半導體產業基地主要產品為3D-NAND FLASH、DRAM存儲晶片等,占地面積約1,500畝。第一期投資約100億美元,月產晶片10萬片,未來「將有力地支撐我國(指中國大陸)在主流記憶體領域的跨越式發展」。
此外,紫光集團還投資約人民幣300億元興建配套的IC國際城,包含科技園、設計封裝產業基地、國際學校、商業設施、國際人才公寓等綜合配套設施。
紫光集團董事長趙偉國在動土儀式上表示,紫光肩負國家使命,要以在全球半導體領域為中國產業實現突破和崛起為己任,以「不破樓蘭終不還」的堅強決心,踏實努力做好中國自己的半導體產業。
紫光南京半導體產業基地與台積電南京廠都位在南京江北新區浦口經濟開發區。紫光集團稱,該基地將「以存儲芯片及儲存器(台灣稱「記憶體」)尖端製造環節為突破口,集存儲產品設計、技術研發、生產製造、銷售於一體,可帶動設計、製造、封裝、測試等集成電路產業鏈的發展。」
大陸網路媒體「觀察者網」指出,紫光並未說明這次在南京半導體基地的技術來源。報導稱,若再聯結到紫光早前高薪挖角南亞科前總經理高啟全,「那麼南京工廠的技術來源很有可能會有部分來自海峽對岸的同胞」。

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