2017年3月9日 星期四

南亞科技董事會昨(9)日通過上修20奈米資本支出,從原規劃359億元,再加碼198.4億元

動態隨機存取記憶體(DRAM)大廠南亞科技董事會昨(9)日通過上修20奈米資本支出,從原規劃359億元,再加碼198.4億元,增幅達55%,使得單一製程總投資額達到557.4億元,創下成立以來單一製程最大手筆投資。
該公司昨天也公布今年度的資本支出為343億元,也寫下歷史新高紀錄。
南亞科總經理李培瑛表示,增加投資主要因應客戶增加需求,將12吋晶圓的月產能由原規劃的3萬片增至3.8萬片,未來隨著製程正式投產,不僅可以大幅度地降低DRAM的製造成本,更可以讓產品效能更優化,尤其低功率行動式記憶體占比,可由目前的11%,提升至30%。
由於20奈米製程投資有逾200億元已在去年支出,如今加碼也使得今年資本支出為343億元,高於去年的223億元。
李培瑛表示,南亞科技的20奈米良率相當好,已於今年1月底正式試產,預定今年第3季會有小量產出,預定到今年底可達3萬片,明年上半年增至3.8萬片;加上現有30奈米3萬片產能,合計6.8萬片,預估位元數將增五成。
李培瑛表示,雖然南亞科技在進行20奈米製程轉換,上半年會有較明顯產出減少,但會在第3季迎頭追回,預估全年位元銷售量仍會有個位數百分比的減幅,仍比原預估近10%還好。
李培瑛指出,南亞科技投入20奈米發展,重點在於強化本身的競爭力,不以增加市占率為目標,而是以降低成本及增加附加價值為目標,預期量產後,對提升獲利會有明顯助益。
儘管位元數減少,但李培瑛仍強調,首季受惠DRAM均價上漲10~15%,本季毛利率增幅可觀,並逐月提升。
至於DRAM供不應求,他認為,至少可維到至今年6月底,價格看漲;下半年仍需視三星、SK海士力、美光這三大廠資本支出才能判讀,但目前來看,仍趨正面。
南亞科技昨天董事會也通過去年盈餘配息1.5元,以昨天收盤價46.55元計算,現金殖利率3.2%。
李培瑛表示,雖然南亞科去年每股純益8.67元,但其中出售華亞科每股貢獻6.55元,換算本業2.12元,配發1.5元股息,配息率70.8%,優於2015年。

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